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つながれたMOSFET/IGBTのゲート ドライブ変圧器FA2659-AL 0.5-8 Wの出力

プロダクト細部

起源の場所: 広東省中国

ブランド名: Shareway

証明: CE UL RoHS ISO9001:2008

モデル番号: FA2659-AL

支払及び船積みの言葉

最小注文数量: 100/500/1000

価格: Supportive

パッケージの詳細: カートンの皿

受渡し時間: 在庫か 3 週

支払条件: TTは、ペイパル

供給の能力: 3000K.PCS/Month

最もよい価格を得なさい
ハイライト:

smdの音声周波変圧器

,

円環形状の分離の変圧器

製品名:
FA2659-ALのゲート ドライブ変圧器はMOSFETおよびIGBTのゲート ドライブ回路つなぎました;
アプリケーション:
つながれたMOSFETおよびIGBTのゲート ドライブ回路
出力パワー:
0.5への8 W
力段階数:
多相
動作温度:
-40℃への +125℃
働く頻度:
20kHz-500KHz
製品名:
FA2659-ALのゲート ドライブ変圧器はMOSFETおよびIGBTのゲート ドライブ回路つなぎました;
アプリケーション:
つながれたMOSFETおよびIGBTのゲート ドライブ回路
出力パワー:
0.5への8 W
力段階数:
多相
動作温度:
-40℃への +125℃
働く頻度:
20kHz-500KHz
つながれたMOSFET/IGBTのゲート ドライブ変圧器FA2659-AL 0.5-8 Wの出力

つながれたMOSFETおよびIGBTのゲートのためのFA2659-ALのゲート ドライブ変圧器ドライブ回路


製品の説明:

変圧器によってつながれるMOSFETおよびIGBTのゲートのために設計されているドライブ変圧器をドライブ回路ゲートで制御して下さい

 

特徴:

  • 変圧器のために設計されていてMOSFETおよびIGBTのゲート ドライブ回路つなぎました;動作周波数:50のkHzから2つのMHz。
  • 2250 Vdcの二次分離への1微細な第一次
  • 板スペースの56 mm2だけ要求します。
  • 中心材料の亜鉄酸塩
  • phosの青銅上のニッケル上の錫上の終了のRoHSの迎合的な錫銀
  • 重量700 mg
  • 周囲温度– 40°Cへの+125°C
  • 保管温度の部品:– 40°Cへの+125°C。
  • テープおよび巻き枠の包装:– 40°Cへの+80°C
  • はんだ付けする熱最高の3つの40の第2退潮への抵抗の
    +260°C、部品は周期間の室温に冷却しました
  • 湿気感受性のレベル(MSL) 1 (85%の相対湿度の <30> 無制限の床の生命)
  • 時間(FIT)/平均故障間隔(MTBF)の失敗
    Telcordia SR-332ごとに計算される1十億時間/26,315,789時間あたりの38
  • 175/7の″の巻き枠の包装;750/13の″の巻き枠プラスチック テープ:24のmm幅、
    0.4 mm、間隔12のmmのポケット厚い、深さ7.0 mmのポケット

 

部分

回転

比率

pri:秒

第一次

インダクタンス

± 20%年(mH)

漏出

インダクタンス

最高(μH)

 

第一次

最高DCR

(オーム)

二次

最高DCR

(オーム)

ボルト時間

プロダクト

(V-μsec)

SRF

(MHz)

キャパシタンス

秒へのpri

最高(pF)

FA2659-AL 1:1 296.0 1.5 0.795 0.655 34.2 1.39 21.9

 

1. 100つのkHz、0.1 Vrms、0 Adcで測定されるインダクタンス
2. 100つのkHz、ショートする二次ピンとの0.1 Vrmsで測定される漏出インダクタンス。
3. Agilent/HP 4192か等量を使用してシリーズで接続されるコイルと測定されるSRF。
4.実用温度範囲−40°Cへの+125°C。
5. 25°C.の電気指定。

 

 

つながれたMOSFETおよびIGBTのゲートのためのFA2659-ALのゲート ドライブ変圧器ドライブ回路


形および次元:

つながれたMOSFET/IGBTのゲート ドライブ変圧器FA2659-AL 0.5-8 Wの出力 0

 

 

プロダクト映像:

つながれたMOSFET/IGBTのゲート ドライブ変圧器FA2659-AL 0.5-8 Wの出力 1

 

 

つながれたMOSFETおよびIGBTのゲートのためのFA2659-ALのゲート ドライブ変圧器ドライブ回路


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1. ISO9001:2008年
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