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0.56uH電子工学MHA0712NSGR56Mのための破片によって形成される統合された誘導器1.0mm高さ

プロダクト細部

起源の場所: 広東省、シンセン

ブランド名: Shareway

証明: RoHS,ISO9001-2001

モデル番号: MHA0712NSGR56M

支払及び船積みの言葉

最小注文数量: 500/1000

価格: Supportive

パッケージの詳細: 巻き枠/皿

受渡し時間: 在庫か 3 週

支払条件: TT、ペイパルは、西連合

供給の能力: 1kk-pcs/month

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ハイライト:

ワイヤー傷の破片誘導器

,

高い現在の力誘導器

製品名:
電子工学MHA0712NSGR56Mのための0.56uH破片によって統合される形成された誘導器
応用分野:
エレクトロニクス
インダクタンス:
0.56-10.0uH
タイプ:
smd インダクタ
高さ:
1.0 mm
重量:
0.29g
製品名:
電子工学MHA0712NSGR56Mのための0.56uH破片によって統合される形成された誘導器
応用分野:
エレクトロニクス
インダクタンス:
0.56-10.0uH
タイプ:
smd インダクタ
高さ:
1.0 mm
重量:
0.29g
0.56uH電子工学MHA0712NSGR56Mのための破片によって形成される統合された誘導器1.0mm高さ

電子工学MHA0712NSGR56Mのための0.56uH破片によって統合される形成された誘導器


記述:

部品番号

インダクタンス

(uH±20%)

DCR (mΩ) @25℃

TYP.

DCR (mΩ) @25℃

MAX.

Irms

(a)

Isat

(a)

MHA0712NSGR56M 0.33 13.50 15.50 7.00 11.00
MHA0712NSGR56M 0.47 15.00 17.50 6.70 9.00
MHA0712NSGR56M 0.68 21.50 24.50 6.30 8.00
MHA0712NSGR56M 1.00 25.00 29.00 6.00 7.50
MHA0712NSGR56M 1.50 51.50 59.00 4.00 5.00
MHA0712NSGR56M 2.20 80.00 92.00 3.00 4.00
MHA0712NSGR56M 4.70 106.0 122.0 2.70 3.50
MHA0712NSGR56M 185.0 210.0 2.20 2.80
MHA0712NSGR56M 250.0 290.0 2.00 2.20

次元:

0.56uH電子工学MHA0712NSGR56Mのための破片によって形成される統合された誘導器1.0mm高さ 0